半导体装置制造方法及图纸

提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件以及绝缘构件。连接构件的至少一部分处于第2半导体构件的第1半导体区域与第3电极之间。绝缘构件的第5部分处于第1半导体区域与连接构件之间。第5部分与第1半导体区域以及连接构件相接。区域以及连接构件相接。区域以及连接构件相接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请以日本专利申请2020
‑
072762(申请日2020年4月15日)为基础，从本申请享有优先权。本申请通过参照本申请，从而包含该申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式一般涉及半导体装置。

技术介绍

[0003]在半导体装置中期望提高特性。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供能够提高特性的半导体装置。
[0005]根据本专利技术的实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第1半导体构件、第2半导体构件、第3半导体构件、第3电极、第1导电构件、连接构件以及绝缘构件。所述第1电极包括第1电极区域、第2电极区域以及第3电极区域。从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向。从所述第1电极区域向所述第2电极区域的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向。所述第3电极区域处于所述第1电极区域与所述第2电极区域之间。所述第2电极包括第4电极区域、第5电极区域以及第6电极区域。从所述第1电极区域向所述第4电极区域的方向沿着所述第1方向。从所述第2电极区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：第1电极，包括第1电极区域、第2电极区域以及第3电极区域；第2电极，从所述第1电极向所述第2电极的方向沿着第1方向，从所述第1电极区域向所述第2电极区域的方向沿着与所述第1方向交叉的第2方向，所述第3电极区域处于所述第1电极区域与所述第2电极区域之间，所述第2电极包括第4电极区域、第5电极区域以及第6电极区域，从所述第1电极区域向所述第4电极区域的方向沿着所述第1方向，从所述第2电极区域向所述第5电极区域的方向沿着所述第1方向，从所述第3电极区域向所述第6电极区域的方向沿着所述第1方向；第1半导体构件，是包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域以及第5部分区域的第1导电类型的第1半导体构件，所述第1部分区域在所述第1方向上处于所述第1电极区域与所述第4电极区域之间，所述第2部分区域在所述第1方向上处于所述第2电极区域与所述第5电极区域之间，所述第3部分区域在所述第1方向上处于所述第3电极区域与所述第6电极区域之间，所述第4部分区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第4电极区域之间，所述第5部分区域在所述第1方向上处于所述第2部分区域与所述第5电极区域之间；第2半导体构件，是包括第1半导体区域以及第2半导体区域的第2导电类型的第2半导体构件，所述第1半导体区域在所述第1方向上处于所述第4部分区域与所述第4电极区域之间，所述第2半导体区域在所述第1方向上处于所述第5部分区域与所述第5电极区域之间；第3半导体构件，是包括第3半导体区域以及第4半导体区域的所述第1导电类型的第3半导体构件，所述第3半导体区域在所述第1方向上处于所述第1半导体区域与所述第4电极区域之间，所述第4半导体区域在所述第1方向上处于所述第2半导体区域与所述第5电极区域之间；第3电极，是在所述第1方向上设置于所述第3部分区域与所述第6电极区域之间的第3电极，所述第3电极的至少一部分处于所述第1半导体区域与所述第2半导体区域之间以及所述第3半导体区域与所述第4半导体区域之间；第1导电构件，所述第1导电构件的至少一部分在所述第1方向上处于所述第3部分区域与所述第3电极之间，在所述第2方向上处于所述第4部分区域与所述第5部分区域之间；连接构件，是与所述第1导电构件以及所述第2电极电连接的连接构件，所述连接构件...

【专利技术属性】
技术研发人员：雁木比吕，小林勇介，井口智明，坂野竜则，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：