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实施方式的半导体存储装置具备：多个第1导电层，积层在衬底上；多个第2导电层，分别积层在第1导电层之间；导柱，在配置着多个第1导电层及多个第2导电层的区域中沿多个第1导电层及多个第2导电层的积层方向延伸，并在多个第1导电层及多个第2导电层的交...
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