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该发明涉及一种存储器及存储器的读写方法，能够避免MRAM在使用过程中容易由于过大的写入电流而毁损或退化，并具有较大的存储器集成密度。所述存储器包括：存储单元，包括存储元件；源极线，电连接所述存储元件的第一端；所述存储器被配置为通过第一电流和...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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