存储器及存储器的读写方法技术

该发明专利技术涉及一种存储器及存储器的读写方法，能够避免MRAM在使用过程中容易由于过大的写入电流而毁损或退化，并具有较大的存储器集成密度。所述存储器包括：存储单元，包括存储元件；源极线，电连接所述存储元件的第一端；所述存储器被配置为通过第一电流和第二电流改变所述存储元件的存储状态，所述第一电流流经所述存储元件，所述第二电流流经所述源极线，而不流经所述存储元件。不流经所述存储元件。不流经所述存储元件。

【技术实现步骤摘要】
存储器及存储器的读写方法


[0001]本专利技术涉及存储器领域，具体涉及一种存储器及存储器的读写方法。

技术介绍

[0002]MRAM(Magnetic Random Access Memory：磁性随机存储器)是可高速动作的非易失性的磁存储器。由于具有非易失性、随机访问、访问速度快等优点，MRAM被大量地研究。
[0003]现有技术中的MRAM至少存在以下难以克服的问题：MRAM在使用过程中容易由于过大的写入电流而毁损磁隧道结或退化，从而影响MRAM的性能和可靠性。亟需提出一种新的存储器来克服上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种存储器及存储器的读写方法，能够避免MRAM在使用过程中容易由于过大的电流而影响器件性能和可靠性，并具有较大的存储器集成密度。
[0005]为了解决上述技术问题，以下提供了一种存储器，包括：存储单元，包括存储元件；源极线，电连接所述存储元件的第一端；所述存储器被配置为通过第一电流和第二电流改变所述存储元件的存储状态，所述第一电流流经所述存储元件，所述第二电流流本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：存储单元，包括存储元件；源极线，电连接所述存储元件的第一端；所述存储器被配置为通过第一电流和第二电流改变所述存储元件的存储状态，所述第一电流流经所述存储元件，所述第二电流流经所述源极线，而不流经所述存储元件。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位线；所述存储单元还包括第一选择晶体管，所述第一选择晶体管被配置为响应于第一控制信号而电连接所述存储元件的第二端与所述位线。3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，还包括：写入位线；第二选择晶体管，所述第二选择晶体管被配置为响应于第二控制信号而电连接所述源极线的第一端与所述写入位线。4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一电流在写1时从所述位线经过所述存储元件流向所述源极线，在写0时从所述源极线经过所述存储单元流向所述位线。5.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第二电流在写1时从所述源极线的第一端流向所述源极线的第二端，在写0时从所述源极线的第二端流向所述源极线的第一端。6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：第三选择晶体管，所述第三选择晶体管被配置为响应于第三控制信号而将一高或低电平信号传输至所述源极线的第二端。7.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述存储器还被配置为在所述存储元件的第二端与所述位线电连接时，利用所述位线为所述存储元件的第二端提供高电平或低电平。8.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述存储器还被配置为在所述源极线的第一端与所述写入位线电连接时，利用所述写入位线为所述源极线的第一端提供高电平或低电平。9.根据权利要3所述的存储器，其特征在于，所述存储器还被配置为给所述源极线的第二端提供高电平或低电平。10.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，包括多个存储单元，且每个所述存储单元中的存储元件的第一端均连接至所述源极线。11.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述存储器被配置为通过第三电流读取所述存储元件内存储的数据，所述第三电流从所述位线经过所述存储元件流向所述源极线的第二端。12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述位线被配置为读取时电连接至所述存储元件的第二端，并为所述存储元件的第二端提供高电平，所述源极线的第二端在读取时被配置为低电平。13.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储元件包括磁隧道结。14....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴保磊，吴玉雷，王晓光，平尔萱，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：