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制造屏蔽栅极沟槽MOSFET装置的方法制造方法及图纸
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文档序号:30404133
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提供了一种屏蔽栅极沟槽MOSFET装置结构。该装置结构包括在覆盖n+硅衬底的n型外延硅层中形成的MOS栅极沟槽和p体接触沟槽。每个MOS栅极沟槽包括栅极沟槽堆叠体,该栅极沟槽堆叠体具有由中间多晶硅氧化物(IPO)层与上n+栅极多晶硅层分离的...
该专利属于艾鲍尔半导体所有,仅供学习研究参考,未经过艾鲍尔半导体授权不得商用。
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