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公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。依次在衬底的第一侧的第二半导体层上方形成牺牲层并在该牺牲层上形成电介质堆叠层。形成穿过电介质堆叠层和牺牲层垂直延伸到第二半导体层中的沟道结构。用与第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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