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本实用新型公开一种沟槽型MOS器件，包括N型外延层、位于N型外延层中上部的轻掺杂P型阱层，轻掺杂P型阱层位于第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区之间的区域设置有一重掺杂P型区，所述重掺杂P型区上表面位于轻掺杂P型阱层上表面，且重掺杂P...
该专利属于江苏应能微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏应能微电子有限公司授权不得商用。

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