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本发明实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。本发明实施例用以解决相关技术中半导体结构传输速度较低的问题。栅极结构设置在所述基底内部且位于源区和漏区之间，源区和漏区之间形成第一沟道结构和第二沟道结构，并且...
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