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描述了一种方法。该方法包括在闪存存储芯片上执行以下操作：测量闪存存储芯片的温度；以及，因为闪存存储芯片的温度已经改变，所以改变闪存存储芯片的编程步长电压。改变闪存存储芯片的编程步长电压。改变闪存存储芯片的编程步长电压。
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该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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