根据芯片温度调节其编程步长电压的闪存存储芯片制造技术

描述了一种方法。该方法包括在闪存存储芯片上执行以下操作：测量闪存存储芯片的温度；以及，因为闪存存储芯片的温度已经改变，所以改变闪存存储芯片的编程步长电压。改变闪存存储芯片的编程步长电压。改变闪存存储芯片的编程步长电压。

【技术实现步骤摘要】
根据芯片温度调节其编程步长电压的闪存存储芯片


[0001]本专利技术的领域总体上涉及电子领域，并且更具体地，涉及根据芯片温度来调节其编程步长(step)电压的闪存存储芯片。

技术介绍

[0002]随着“大数据”、云计算、人工智能和其他高度数据密集型应用的出现，因为由这些应用处理的许多数据最终会从非易失性存储器被读取和/或写入到非易失性存储器，所以非易失性存储器的性能正在成为整体应用性能的日益关注的焦点。这样，系统设计者和非易失性存储芯片和/或器件设计者越来越关注改善它们的非易失性存储芯片和/或器件的性能。
附图说明
[0003]可从下面结合附图的具体实施方式获得对本专利技术的更好的理解，在附图中：
[0004]图1示出了闪存存储单元的堆叠体(现有技术)；
[0005]图2示出了根据芯片温度的编程步长(step size)电压(现有技术)；
[0006]图3示出了根据芯片温度来改变编程步长电压的改善的方式；
[0007]图4a示出了闪存存储芯片；
[0008]图4b示出了存储设备；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：闪存存储芯片，所述闪存存储芯片包括以下i)、ii)、iii)、和iv)：i)用于接收命令的芯片接口；ii)堆叠的储存单元的阵列；iii)温度感测器件；以及，iv)控制器，所述控制器耦合到所述芯片接口、所述堆叠的储存单元的阵列和所述温度感测器件，其中，所述控制器用于基于由所述温度感测器件测量的所述闪存存储芯片的温度来调节施加到所述堆叠的储存单元的阵列的编程步长电压。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器用于在所述闪存存储芯片的所述温度接近所述闪存存储芯片的所述额定温度范围的中点时，增大所述编程步长电压。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述编程步长电压的增大在所述闪存存储芯片的加热和冷却方向上均发生。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述编程步长电压的增大导致所述储存单元中的更宽的电荷分布。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器用于在所述闪存存储芯片的额定温度范围的最高温度或所述闪存存储芯片的所述额定温度范围的最低温度下将所述编程步长电压设置为最小值。6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述最小编程步长电压导致所述储存单元内的最窄的电荷分布。7.根据权利要求1所述的装置，其中，当所述闪存存储芯片的所述温度远离所述闪存存储芯片的额定温度范围的中点移动时，所述控制器用于减小所述编程步长电压。8.一种计算系统，包括：多个处理核心；系统存储器；系统存储器控制器，所述系统存储器控制器耦合到任一所述系统存储器；外围控制集线器；以及，存储器件，所述存储器件耦合到所述系统存储器控制器或所述外围控制集线器，所述存储器件包括闪存存储芯片，所述闪存存储芯片包括以下i)、ii)、iii)、和iv)：i)用于接收命令的芯片接口；ii)堆叠的储存单元的阵列；iii)温度感测器件；以及，iv)控制器，所述控制器耦合到所述芯片接口、所述堆叠的储存单元的阵列和所述温度感测器件，其中，所述控制器用于基于由所述温度感测器件测量的所述闪...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：