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本公开的各种实施例针对一种集成芯片，其包括设置在衬底内的第一井区、第二井区和第三井区。第二井区在横向上在第一井区和第三井区之间。隔离结构设置在衬底内并且横向地围绕第一、第二和第三井区。浮置栅极上覆衬底并且从第一井区横向延伸到第三井区。介电结...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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