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本发明的实施方式提供一种能够提升三维NAND型闪存的可靠性的半导体存储装置及其制造方法。本发明的实施方式的半导体存储装置具备：第1构造体，交替地堆叠有多个第1导电膜及多个第1绝缘膜；第1柱状体，分别贯通第1构造体而配置，并在半导体衬底侧具有...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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