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一种半导体器件包括：第一衬底；电路器件，设置在第一衬底上；第一互连结构，电连接到电路器件；第二衬底，设置在第一互连结构的上部上；栅电极，彼此间隔开并且在与第二衬底的上表面垂直的方向上堆叠在第二衬底上；以及沟道结构，穿透栅电极，垂直于第二衬底...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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