温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了用于具有对准的深沟槽接触的三维(3D)阵列的方法和设备。在一实施例中，一种方法包括形成具有导体层和绝缘体层的阵列堆叠体以及在阵列堆叠体的顶部上形成硬掩膜。硬掩膜包括多个孔。该方法还包括：在硬掩膜的顶部上形成回拉掩膜；以及对回拉掩膜进行...
该专利属于NEO半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过NEO半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。