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半导体存储装置制造方法及图纸
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文档序号:30029380
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本发明的实施方式提供一种可实现更加小型化及高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有多个第1配线层、半导体层、第1电荷储存部、导电部及连接部。多个第1配线层分别在第1方向上延伸,且设置在与第1方向交叉的第2方向上。半导体层在第2...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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