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实施方式提供能够抑制芯片面积的增加并且提高动作性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置在基板上具备存储区域(600)和形成有MOS晶体管(100)的外围电路区域(500)。MOS晶体管(100)具有沿着与基板表面平行的第一方向配置的漏...
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