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本申请题为“基于纳米带的三维静态随机存取存储器”。本文中描述包括堆叠在彼此上方以便实现高密度3D SRAM的半导体纳米带的IC装置。示例装置包括基于适合于形成NMOS晶体管的第一纳米带以及适合于形成PMOS晶体管的第二纳米带来构建的SRAM...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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