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本发明提供了一种监测栅极氧化层的击穿电压的方法，用于监测半导体结构的栅极氧化层的击穿电压，包括：形成半导体结构，半导体结构包括：有源区、浅沟槽隔离结构、栅极氧化层和多晶硅栅极，浅沟槽隔离结构形成在有源区内，浅沟槽隔离结构将有源区的上半部分分...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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