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本发明公开了一种存储器装置与集成电路，存储器装置包括位于第一和第二电极之间的相变存储器材料体上的碳沉积物，例如碳缓冲层。碳沉积物可提高相变存储器单元的耐久性五个或更多数量级。实施例包括“蘑菇”型存储器元件，以及包括3D阵列的交叉点元件的其他...
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