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本公开涉及晶体管结构及其形成方法。一个实施例晶体管包括：由第一沟槽界定的半导体漏极区域、以及在第一沟槽中的第一导电元件，该第一导电元件被电耦合到电势的施加的节点，该电势更接近晶体管的漏极电势，而不是更接近晶体管的源极电势。...
该专利属于意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。

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