【技术实现步骤摘要】
晶体管结构及其形成方法相关申请的交叉引用本申请要求于2020年1月23日提交的法国专利申请号2000669的优先权,由此其申请内容通过引用并入本文。
本公开总体涉及电子设备和方法,并且更具体地,涉及晶体管及其形成方法。
技术介绍
在某些电子设备中,场效应晶体管用于在非导电状态中保持高电压(通常大于10V,例如约40V,或者甚至大于100V)。晶体管越小和/或在非导电状态中保持的电压越高,在导电状态中晶体管的电阻越高。
技术实现思路
在晶体管中,需要改进在导电状态中的状态电阻、尺寸与在非导电状态中保持的电压之间的权衡。一个实施例克服了已知晶体管的全部或部分缺点。一个实施例使得能够减小导电状态中的电阻,和/或减小所占用的表面积,和/或增加所保持的电压。一个实施例提供了一种晶体管,该晶体管包括:由第一沟槽界定的半导体漏极区域、以及在第一沟槽中的第一导电元件,该第一导电元件被电耦合到施加电势的节点,该电势更接近晶体管的漏极电势,而不是更接近晶体管的源极电势。根据一个实施例,晶体管包括位于第二沟槽中的栅极,该第二沟槽与第一沟槽共线。根据一个实施例,晶体管在栅极与第一导电元件之间包括绝缘区域,该绝缘区域的厚度大于晶体管的栅极绝缘体的厚度,并且优选地,晶体管在栅极与第一导电元件之间包括半导体漏极区域的部分。根据一个实施例,晶体管包括位于第二沟槽中的第二导电元件。根据一个实施例,第一沟槽在衬底中从衬底的表面延伸,晶体管的漏极接触区域和晶体管的 ...
【技术保护点】
1.一种晶体管,包括:/n半导体漏极区域,由第一沟槽界定;/n第一导电元件,位于所述第一沟槽中;以及/n第一节点,被电耦合到所述第一导电元件,所述第一节点被配置为耦合到第一电势,所述第一电势更接近所述晶体管的漏极电势,而不是更接近所述晶体管的源极电势。/n
【技术特征摘要】
20200123 FR 20006691.一种晶体管,包括:
半导体漏极区域,由第一沟槽界定;
第一导电元件,位于所述第一沟槽中;以及
第一节点,被电耦合到所述第一导电元件,所述第一节点被配置为耦合到第一电势,所述第一电势更接近所述晶体管的漏极电势,而不是更接近所述晶体管的源极电势。
2.根据权利要求1所述的晶体管,进一步包括位于第二沟槽中的栅极,所述第二沟槽与所述第一沟槽共线。
3.根据权利要求2所述的晶体管,进一步包括在所述栅极与所述第一导电元件之间的绝缘区域,所述绝缘区域具有第一厚度,所述第一厚度大于所述晶体管的栅极绝缘体的第二厚度。
4.根据权利要求2所述的晶体管,进一步包括位于所述第二沟槽中的第二导电元件。
5.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述第一沟槽从衬底的表面延伸到所述衬底中,并且其中所述晶体管的漏极接触区域和所述晶体管的沟道形成区域位于所述衬底的所述表面侧。
6.根据权利要求5所述的晶体管,其中所述沟道形成区域被电耦合到第二节点,所述第二节点被配置为耦合到所述晶体管的所述源极电势。
7.根据权利要求5所述的晶体管,进一步包括:
栅极,位于与所述第一沟槽共线的第二沟槽中;以及
半导体源极区域,由所述第二沟槽界定,并且在所述沟道形成区域的与所述半导体漏极区域相对的一侧,与所述沟道形成区域接触。
8.根据权利要求5所述的晶体管,其中所述第一沟槽延伸到所述衬底的、部分位于所述半导体漏极区域下方的区域中。
9.根据权利要求8所述的晶体管,其中所述沟道形成区域是所述衬底的所述区域的部分。
10.根据权利要求8所述的晶体管,其中所述衬底的所述区域通过掩埋阱与所述衬底的位于所述掩埋阱下方的另一区域绝缘。
11.根据权利要求10所述的晶体管,其中所述掩埋阱完全位于比所述第一沟槽的底部的深度更大的深度处。
12.根据权利要求1所述的晶体管,其中在与所述第一沟槽侧相对的一侧,所述半导体漏极区域由附加沟槽界定,并且其中附加导电元件位于所述附加沟槽中。
13.根据权利要求12所述的晶体管,其中所述第一沟槽的端部和所述附加沟槽的端部在沟槽宽度方向上对准。
14.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述半导体漏极区域在与所述第一沟槽平行的方向上具有从接触区域减小的掺杂水平。
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【专利技术属性】
技术研发人员:R·杰尔马纳卡尔皮内托,
申请(专利权)人:意法半导体鲁塞公司,
类型:发明
国别省市:法国;FR
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