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本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括:衬底，具有第一导电型；第一阱区，设置于所述衬底中且具有第二导电型；第二阱区，设置于所述衬底中且具有所述第一导电型；源极区与漏极区，具有所述第二导电型，分别设置于所述第二阱区与所述第一...
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