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本实用新型涉及一种低损耗和漏电的沟槽MOS功率器件，包括多个沟槽MOS器件单胞重复排列并联构成；每个单胞结构包括：衬底；设置于衬底表面的外延层；设置于外延层内的沟槽；在沟槽的底部且位于外延层内的部分形成N型杂质的一次注入掺杂；设置于沟槽侧壁...
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