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本公开的各种实施例是针对一种包括设置在有源层与衬底之间的缓冲层的半导体结构。有源层上覆于衬底。衬底和缓冲层包括在远离有源层的方向上从有源层的底面垂直延伸的多个柱结构。顶部电极上覆于有源层的上表面。底部电极位于衬底之下。底部电极包括导电体和多...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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