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三维存储器及制造三维存储器的方法技术
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文档序号:29529808
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本发明提供了包括外围电路芯片的三维存储器。外围电路芯片包括:第一衬底;第一电路元件层,设置在第一衬底上,并且包括第一器件层和第一连接层,第一连接层用于第一器件层的信号传输;第二衬底,设置在第一电路元件层上;以及第二电路元件层,设置在第二衬底...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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