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本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法的步骤包括：产生至少一沟槽在一基底中；形成一介电膜在该沟槽中的该基底上；沉积一第一导电层在该介电膜上以部分充填该沟槽；沉积一隔离膜在该第一导电层上；沉积一第二导电层以埋藏该隔离膜；以及凹陷该第一...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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