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根据本发明实施例的半导体器件包括：抗穿通(APT)区，位于衬底上方；多个沟道构件，位于抗穿通区上方；栅极结构，围绕多个沟道构件中的每一者；源极/漏极部件，邻近栅极结构；以及扩散延迟层。源极/漏极部件通过扩散延迟层与抗穿通区间隔开。源极/漏极...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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