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本申请的各个实施例针对金属‑铁电‑金属‑绝缘体‑半导体(MFMIS)存储器器件，以及用于形成MFMIS存储器器件的方法。根据MFMIS存储器器件的一些实施例，将第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域垂直堆叠。内部栅电极和半导体沟道位于第一源...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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