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本申请公开了水平全环栅和FinFET器件隔离。本文中所述的实施例总体涉及用于水平全环栅(hGAA)隔离和鳍式场效应晶体管(FinFET)隔离的方法和装置。可在基板上形成包括按交替式堆叠形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可氧化...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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