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本发明公开一种DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备,通过对待测试的DRAM进行两轮测试,对存储阵列交替写入预设测试数据以及预设测试数据的反数,基于写入的数据以预设操作单元为单位对每一第一预设读写单元分别进行两次遍历,对于遍历...该专利属于深圳佰维存储科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳佰维存储科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备,通过对待测试的DRAM进行两轮测试,对存储阵列交替写入预设测试数据以及预设测试数据的反数,基于写入的数据以预设操作单元为单位对每一第一预设读写单元分别进行两次遍历,对于遍历...