DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，对存储阵列交替写入预设测试数据以及预设测试数据的反数，基于写入的数据以预设操作单元为单位对每一第一预设读写单元分别进行两次遍历，对于遍历到的目标预设操作单元，确定与其相邻的相邻预设操作单元，基于预设测试数据按照预设顺序对目标预设操作单元以及相邻预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，实现了棋盘背景临近访问，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。

【技术实现步骤摘要】
DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备
本专利技术涉及DRAM芯片测试领域，尤其涉及一种DRAM测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备。
技术介绍
动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)，是当代计算机系统不可或缺的组成部件，分平台可有应用于个人电脑或服务器的双倍速率同步动态随机存储器(DoubleDataRate，DDR)模组以及应用于嵌入式ARM架构的低功耗内存(LowPowerDoubleDataRate，LPDDR)芯片。LPDDR的基本存储单元为cell，计算机及嵌入式系统通过在cell中写入高电平或低电平的方式进行数据存储和读写。另外，由于当前DRAM为了高效的存取速率采用的是突发读写方式，即读写操作在一个存储阵列中是以突发长度(BurstLength，BL)为单位进行的，一次操作多位(如8位、16位或32位)列地址的读写，并对每个突发长度里访问由0和1组成的数据。例如定位的地址是0行，突发长度为8bit，那么在0行0列至0行7列这一段空间每一位写入1bi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤：/n对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；/n所述测试包括：/n以预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的存储阵列交替写入预设测试数据以及所述预设测试数据的反数直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；/n任一预设操作单元写入的数据与其相邻的相邻预设操作单元写入的数据不同；/n基于写入的数据以所述预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元分别进行两次遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元；/n对于遍历到的目标预设操作单元，确定与其相邻的相邻预设操作单元，基于所述预设测试数据按照...

【技术特征摘要】
1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤：
对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；
所述测试包括：
以预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的存储阵列交替写入预设测试数据以及所述预设测试数据的反数直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；
任一预设操作单元写入的数据与其相邻的相邻预设操作单元写入的数据不同；
基于写入的数据以所述预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元分别进行两次遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元；
对于遍历到的目标预设操作单元，确定与其相邻的相邻预设操作单元，基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标预设操作单元以及所述相邻预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；
第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；
根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。


2.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述以预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的存储阵列交替写入预设测试数据以及所述预设测试数据的反数直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括：
按照预设突发长度以预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的存储阵列的每一第二预设读写单元的低位地址开始交替写入预设测试数据以及所述预设测试数据的反数直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据。


3.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述基于写入的数据以所述预设操作单元为单位对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元分别进行两次遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元包括：
对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元中所有写入的数据为所述预设测试数据的第一预设操作单元进行第一次遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有写入的数据为所述预设测试数据的第一预设操作单元；
对所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元中所有写入的数据为所述预设测试数据的反数的第二预设操作单元进行第二次遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有写入的数据为所述预设测试数据的反数的第二预设操作单元。


4.根据权利要求3所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，对于第一次遍历中每一第一预设读写单元中的所有第一预设操作单元，其对应的所述预设顺序交替变换；
对于第二次遍历中每一第一预设读写单元中的所有第二预设操作单元，其对应的所述预设顺序交替变换。


5.根据权利要求4所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述对于遍历到的目标预设操作单元，确定与其相邻的相邻预设操作单元，基于所述预设测试数据按照预设顺序对所述目标预设操作单元以及所述相邻预设操作单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较包括：
对于第一次遍历中遍历到的第一目标预设操作单元，确定与其相邻的第一相邻预设操作单元，判断所述第一目标预设操作单元在与其对应的第一预设读写单元的所有第一预设操作单元中的序号是否为奇数，若是，则按照第一预设顺序向所述第一相邻预设操作单元写入所述预设测试数据，每写入一次所述预设测试数据，读取所述第一目标预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较，再向当前写入所述预设测试数据的第一相邻预设操作单元写入所述预设测试数据的反数，每写入一次所述预设测试数据的反数，读取所述第一目标预设操作单元的数据，将读取到的数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，孙日欣，雷泰，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44