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一种三维半导体存储器装置包括：第一衬底上的外围电路结构；外围电路结构上的第二衬底；第二衬底上的电极结构，电极结构包括堆叠的电极；以及垂直沟道结构，其贯穿电极结构。外围电路结构包括第二衬底下方的伪互连结构。伪互连结构包括堆叠的伪互连线以及将最...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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