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本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括源极结构与漏极结构位于基板上。半导体装置还包括源极通孔电性耦接至源极结构；以及漏极通孔电性耦接至漏极结构。源极通孔具有第一尺寸，漏极通孔具有第二尺寸，且第一尺寸大于第二尺寸。半导体装置亦可包含电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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