温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决电容连接线内容易形成缝隙，进而影响动态随机存储器性能的问题。该半导体结构制作方法包括：在基底上形成位线结构，相邻位线上的绝缘结构之间围设成填充通道；在填充通...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。