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本发明提供了一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：保护气氛下球磨混合铬粉与硅粉，得到混合料，混合料中硅粉的质量分数不超过16wt％；所得混合料装模压实，然后进行抽真空处理；完成所述抽真空处理后，进行第一热处理，第一热处理...
该专利属于宁波江丰电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波江丰电子材料股份有限公司授权不得商用。

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