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本发明涉及一种太阳能钼靶坯及其制备方法和用途,所述制备方法包括依次进行的高纯钼粉筛分和装模、冷等静压、烧结、热轧、退火,制备得到太阳能钼靶坯;其中,所述烧结在氢气气氛下进行,且所述烧结的目标温度为1800‑2100℃。本发明所述制备方法在烧...该专利属于宁波江丰电子材料股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宁波江丰电子材料股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种太阳能钼靶坯及其制备方法和用途,所述制备方法包括依次进行的高纯钼粉筛分和装模、冷等静压、烧结、热轧、退火,制备得到太阳能钼靶坯;其中,所述烧结在氢气气氛下进行,且所述烧结的目标温度为1800‑2100℃。本发明所述制备方法在烧...