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本发明提供了一种半导体的研磨方法，包括以下步骤：(1)对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到38～42℃；(2)利用步骤(1)处理后的研磨盘对待加工的半导体进行研磨，研磨粒子为金刚石。本发明的半导体的研磨方法通过在研磨之前对研磨盘预热至特定的...
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