一种半导体的研磨方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体的研磨方法，包括以下步骤：(1)对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到38～42℃；(2)利用步骤(1)处理后的研磨盘对待加工的半导体进行研磨，研磨粒子为金刚石。本发明专利技术的半导体的研磨方法通过在研磨之前对研磨盘预热至特定的温度，发明专利技术人经过研究后发现，在研磨之前对研磨盘预热至38～42℃时，研磨盘的平面度较好而且研磨盘的寿命较长。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体的研磨方法
本专利技术涉及半导体加工领域，具体涉及一种半导体的研磨方法。
技术介绍
随着微电子技术发展，半导体的研磨技术也需要越来越精微。研磨需要研磨液和研磨盘两种要素共同完成，半导体表面的粗糙度影响其工作性能。为了得到更好的研磨粗糙度，需要更细更小的金刚石粉来配置研磨液，然而金刚石颗粒的减小同时也使得研磨盘的寿命缩小，反而降低了生产率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种半导体的研磨方法。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种半导体的研磨方法，所述方法包括以下步骤：(1)对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到38～42℃；(2)利用步骤(1)处理后的研磨盘对待加工的半导体进行研磨，研磨粒子为金刚石。上述的半导体的研磨方法通过在研磨之前对研磨盘预热至特定的温度，专利技术人经过研究后发现，在研磨之前对研磨盘预热至38～42℃时，研磨盘的(Plateflatness)的平面度较好而且研磨盘的寿命较长。优选地，所述金刚石的粒径为：1.5μ本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体的研磨方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n(1)对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到38～42℃；/n(2)利用步骤(1)处理后的研磨盘对待加工的半导体进行研磨，研磨粒子为金刚石。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体的研磨方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到38～42℃；
(2)利用步骤(1)处理后的研磨盘对待加工的半导体进行研磨，研磨粒子为金刚石。


2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述金刚石的粒径为：1.5μm～2.0μm。


3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述步骤(1)中，预热的时间为0.5～2小时。


4.根据权利要求3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭忠华，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44