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本发明公开了一种半导体结构的加工方法，包括采用电化学抛光工艺，将高出阻挡层顶面的铜层厚度减薄；采用湿法刻蚀工艺，去除减薄后的铜层顶面的氧化层；采用化学机械抛光工艺，去除高出阻挡层顶面的剩余铜层；采用湿法刻蚀工艺，去除高出多晶硅层顶面的阻挡层...
该专利属于盛美半导体设备(上海)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛美半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。

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