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本发明提供一种存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，该存储器包括基底，基底上设置有隔离层，隔离层内间隔排布有多条位线，多条位线沿第一方向排布，且每条位线呈S形。该存储器的制备方法包括如下步骤：提供基底；在基底上形成多条位线沟槽；在每条位线...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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