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本发明在使用化合物半导体材料等加工微细的图案时，使得能够通过比较低的温度工艺形成剖面为垂直的形状的图案。半导体装置的制造方法构成为具备使用等离子体对半导体材料进行蚀刻的工序、在半导体材料形成损伤层的工序、以及去除所述损伤层的工序。以及去除所...
该专利属于株式会社日立高新技术所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日立高新技术授权不得商用。

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