半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术在使用化合物半导体材料等加工微细的图案时，使得能够通过比较低的温度工艺形成剖面为垂直的形状的图案。半导体装置的制造方法构成为具备使用等离子体对半导体材料进行蚀刻的工序、在半导体材料形成损伤层的工序、以及去除所述损伤层的工序。以及去除所述损伤层的工序。以及去除所述损伤层的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及使用了化合物半导体材料等的半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件的集成度提高且在基板上形成的图案的微细化的进步，作为用作沟道材料的材料，要求电子迁移率为高迁移率的材料。
[0003]作为该高迁移率的沟道材料，已知有III
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V族材料等化合物半导体。在专利文献1(日本特开2010
‑
40780号公报)记载了对包含铟(In)的化合物半导体进行等离子体蚀刻加工。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2010
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40780号公报
[0007]III
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V族材料等化合物半导体具有挥发性低(难挥发性)且各向异性加工困难的课题。
[0008]作为解决该课题的方法，在专利文献1(日本特开2010
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40780号公报)记载了在对包含铟(In)的化合物半导体进行加工时，进行如下的等离子体蚀刻处理，即，在将被加工物加热本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：使用等离子体对半导体材料进行蚀刻的工序；在半导体材料形成损伤层的工序；以及去除所述损伤层的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，去除所述损伤层的工序通过湿蚀刻进行。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体材料是化合物半导体材料。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述蚀刻工序使用氯气和氢气的混合气体或氯气、氢气、以及甲烷气体的混合气体而进行。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井洋平，凯瑟琳，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：