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本文公开了多栅极器件及其制造方法。示例性方法包括在p型栅极区域中的第一沟道层周围和在n型栅极区域中的第二沟道层周围形成栅极介电层。在n型栅极区域中的第二沟道层之间形成牺牲部件。在p型栅极区域和n型栅极区域中的栅极介电层上方形成p型功函层。在...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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