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本发明公开了一种栅约束NPN三极管型ESD器件及其实现方法，将现有栅约束硅控整流器中高浓度P型掺杂(20)右侧的所有结构全部去除，只保留所述高浓度P型掺杂(20)和左侧的高浓度N型掺杂(28)以及覆盖高浓度P型掺杂(20)和高浓度N型掺杂(...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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