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本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置。所述方法包括：步骤S1，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有浮栅结构，所述浮栅结构包括浮栅层，并且所述浮栅结构中包含有露出部分所述半导体衬底的间隔区域；步骤S2，在所述半导体衬底...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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