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本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，属于半导体材料制备技术领域。一种制备碳化硅单晶的方法，包括以下步骤：S1.以PVT法生长氮化铝衬底，所述氮化铝衬底附着于石墨坩埚盖上；S2.以步骤S1所得石墨坩埚盖和预处理过的石墨坩埚体作为反应容器，以...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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