温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种具隔离阱区的存储单元及其相关非挥发性存储器，其中非挥发性存储器的存储单元包括一基板区域、一障壁层、一N型阱区、一隔离结构、一第一栅极结构、一第一侧壁绝缘层、一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区与一N型掺杂区。隔离结构围绕于N型阱...
该专利属于力旺电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力旺电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。