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一种半导体器件包括：第一结构，第一结构包括：第一半导体图案，从衬底突出，第一半导体图案是沟道；第一导电图案，围绕第一半导体图案，第一导电图案是栅电极；第一杂质区，位于第一半导体图案下方，第一杂质区接触第一半导体图案，第一杂质区为源极区或漏极...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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