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本发明提供一种互连结构及其制备方法、半导体结构，涉及半导体技术领域，该互连结构包括基底、设置在基底上的介质层以及绝缘层，所述介质层内间隔设置有多条金属线；相邻的所述金属线之间的所述介质层内设置有凹槽，所述凹槽的槽底暴露所述基底的表面；所述绝...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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