温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种高电子场效应晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：制备无凹栅槽的HEMT器件，包括：半导体衬底：位于所述半导体衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述半导体衬底一侧的势垒层；以及位于所述势垒层背离所述缓冲层一侧的钝化层；对所...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。